RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3693
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link