RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
66
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
22.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3792
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology 11137401 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link