RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
66
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3917
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link