RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
66
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3738
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link