RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
66
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2319
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link