RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
66
Wokół strony -187% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3260
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link