RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
66
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2148
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link