RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
71
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
71
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
1650
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link