RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
66
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
59
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2181
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link