RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
66
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3411
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link