RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
73
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
73
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
1843
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link