RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
59
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3170
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link