RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3247
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link