RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3210
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link