RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3403
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link