RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3711
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link