RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
59
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3012
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link