RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3047
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link