RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2353
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link