RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2961
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link