RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2261
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link