RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3422
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link