RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3593
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link