RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3299
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link