RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3844
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link