RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
2,076.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
1617
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link