RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
59
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3256
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link