RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2708
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link