RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2447
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link