RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,076.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2200
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link