RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
59
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2962
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link