RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2330
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link