RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,076.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2633
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link