RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2890
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link