RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
62
Wokół strony -265% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,658.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,216.7
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,658.4
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
688
3481
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link