RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
62
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,658.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,216.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,658.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
688
3039
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kllisre 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
INTENSO 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link