RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
62
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,658.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,216.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,658.4
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
688
2569
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston K531R8-HYA 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link