RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
62
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,658.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,216.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,658.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
688
2987
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link