RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
62
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,658.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
54
Prędkość odczytu, GB/s
4,216.7
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,658.4
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
688
2176
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link