RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,013.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
68
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,402.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,013.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
701
3119
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link