RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,013.5
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
68
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,402.8
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,013.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
701
3593
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link