RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
60
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2689
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link