RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3125
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link