RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
60
Wokół strony -140% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
25
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3673
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link