RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
60
Wokół strony -140% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
25
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2945
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link