RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
60
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2660
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link