RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
60
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,381.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
48
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2196
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link