RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2854
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link