RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2854
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link