RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
60
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
32
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3164
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link