RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
60
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,381.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
52
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2306
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link